| 发明名称 | 光刻胶的处理方法以及半导体器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种光刻胶的处理方法，包括：提供基底，所述基底上具有图形化的光刻胶；在所述光刻胶上旋涂化学微缩材料，以在所述光刻胶的表面形成保护膜；采用低温低能等离子处理工艺处理所述保护膜。本发明的光刻胶的处理方法，能够在保证线宽的前提下，有效地提高所述光刻胶的表面致密度，避免或减少缺陷的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN103279015A | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201310215196.1 | 申请日期 | 2013.05.31 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 黄君;毛智彪;张瑜 |
| 分类号 | G03F7/38(2006.01)I;H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种光刻胶的处理方法，包括：提供基底，所述基底上具有图形化的光刻胶；在所述光刻胶上旋涂化学微缩材料，以在所述光刻胶的表面形成保护膜；采用低温低能等离子处理工艺处理所述保护膜。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||