发明名称 |
一种忆阻层及忆阻器 |
摘要 |
本发明公开了一种忆阻层,包括主要层和辅助层;所述辅助层位于所述主要层的上面;所述主要层的厚度大于辅助层的厚度;所述主要层由具有阻变特性的金属氧化物Ax1Oy1构成;所述辅助层由金属氧化物Bx2Oy2构成;x1、x2、y1、y2为与化学价相关的元素比例。本发明还公开了一种电学特性参数离散性较小的忆阻器。本发明所公开的忆阻层结构简单,性能优越,工艺复杂度低,节约了生产成本。 |
申请公布号 |
CN103280526A |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201310206768.X |
申请日期 |
2013.05.29 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
刘力锋;后羿;陈冰;高滨;韩德栋;王漪;康晋锋;张兴 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
王莹 |
主权项 |
一种忆阻层,其特征在于,包括主要层和辅助层;所述辅助层位于所述主要层的上面;所述主要层的厚度大于所述辅助层的厚度;所述主要层由具有阻变特性的金属氧化物Ax1Oy1构成;所述辅助层由金属氧化物Bx2Oy2构成;其中,x1、x2、y1、y2为与化学价相关的元素比例。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |