主权项 |
一种基于流水线ADC的低功耗基准电压缓冲器,其特征在于,包括差分电压放大器、作为输出缓冲器的源极跟随器、电容放电回路和电容充电回路,以及电压源(VH)(VL)、第一开关(SW1)、第四开关(SW4);所述差分电压放大器包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和差分放大器(A1);所述第一电阻(R1)一端接地,一端接差分放大器(A1)的负输入端;第二电阻(R2)一端接输入电压(Vin),一端差分接放大器(A1)的正输入端;第三电阻(R3)一端接差分放大器(A1)的正输出端,一端接差分放大器(A1)的负输入端;第四电阻(R4)一端接差分放大器(A1)的正输入端,一端接差分放大器(A1)负输出端;源极跟随器电路部分包括第一NMOS管(NM1)、第二NMOS管(NM2),第三NMOS管(NM3)和第四NMOS管(NM4);所述第一NMOS管(NM1)栅极接放大器(A1)负输出端,漏极接电源,源极接第三MOS管(NM3)漏极;第二NMOS管(NM2)栅极接放大器(A1)正输出端,漏极接电源,源极接第四NMOS管(NM4)漏极;第三NMOS管(NM3)源极接地;第四NMOS管(NM4)源极接地,栅极和第三NMOS管(NM3)相连,接到固定偏置电压;电容放电回路包括第一负载电容(C1)、第二开关(SW2)、第三NMOS管(NM3)和放电电流控制电路,所述放电电流控制电路包括第一CMOS开关(TG1)和第五NMOS管(NM5);所述第一开关(SW1)一端接到电压源(VH),另一端接到第一电容(C1)上极板、第二开关(SW2),第一电容(C1)下级板接地,第二开关(SW2)另一端接第三NMOS管(NM3)漏极;第五NMOS管(NM5)栅极接第一CMOS开关(TG1)一端,源极接地;第一CMOS开关(TG1)另一端接第五NMOS管(NM5)漏极,第五NMOS管(NM5)漏极接第一电容(C1)的上极板;电容充电回路包括第二负载电容(C2)、第三开关(SW3)、第二NMOS管(NM2)和充电电流控制电路,所述充电电流控制电路包括第二CMOS开关(TG2),第一PMOS管(PM1);所述第四开关(SW4)一端接到电压源(VL),另一端接到第二电容(C2)上极板、第三开关(SW3),第二电容(C2)下级板接地,第三开关(SW3)另一端接第四NMOS管(NM4)漏极;第一PMOS管(PM1)栅极接第二CMOS开关(TG2)一端,源极接电源;第二CMOS开关(TG2)另一端接第一PMOS管(PM1)漏极,第一PMOS管(PM1)漏极接第二电容(C2)的上极板。 |