| 发明名称 | CVD装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种能够在不导致生产成本高昂及装置大型化的情况下飞跃性地提高基座的品质和生产性的CVD装置。在该CVD装置中，在通过支承部件支承碳质基材(5)的状态下向内部导入气体，由此在碳质基材(5)的表面形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，所述支承部件具备载置所述碳质基材(5)并支承碳质基材下部的下部支承部件(6)和支承所述碳质基材(5)上部的上部支承部件(13)，该上部支承部件(13)设置在所述碳质基材(5)的外周缘，并且在该上部支承部件(13)形成有V字状的槽(13d)，在由该V字状的槽(13d)构成的碳质基材配置空间(17)内，以具有充分的游隙的状态配置所述碳质基材(5)。 | ||
| 申请公布号 | CN102272352B | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201080003809.X | 申请日期 | 2010.01.29 |
| 申请人 | 东洋炭素株式会社 | 发明人 | 吉本义明;久保田刚史 |
| 分类号 | C23C16/458(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/458(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张宝荣 |
| 主权项 | 一种CVD装置，在通过支承部件支承碳质基材的状态下向内部导入气体，由此在碳质基材的表面形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，所述支承部件具备载置所述碳质基材并支承碳质基材下部的下部支承部件和支承所述碳质基材上部的上部支承部件，该上部支承部件设置在所述碳质基材的外周缘，并且具备两张支承板，在所述支承板之间形成的碳质基材配置空间内，以具有充分的游隙的状态配置所述碳质基材，所述充分的游隙是指所述碳质基材或与所述支承板的一方抵接，或与另一方抵接。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||