发明名称 半导体装置
摘要 半导体装置包括第一扩张型半导体芯片(31)和第二半导体芯片(5),该第一扩张型半导体芯片(31)具有第一半导体芯片(6a)和从该第一半导体芯片(6a)的侧面朝向外侧扩张地设置的扩张部(1a),该第二半导体芯片(5)安装在第一扩张型半导体芯片(31)上,并与第一半导体芯片(6a)电连接。第一扩张型半导体芯片(31)具有设置在扩张部(1a)上且与第一半导体芯片(6a)的电极电连接的第一扩张部电极焊盘(21a)。
申请公布号 CN103283019A 申请公布日期 2013.09.04
申请号 CN201180062818.0 申请日期 2011.07.29
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 小林昭一;铃木宏明;瓜生一英;瀬古公一;油井隆;荻原清己
分类号 H01L25/065(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I 主分类号 H01L25/065(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 李逸雪
主权项 一种半导体装置,其特征在于:所述半导体装置包括:第一扩张型半导体芯片,其具有第一半导体芯片和从该第一半导体芯片的侧面朝向外侧扩张地设置的扩张部,和第二半导体芯片,其安装在所述第一扩张型半导体芯片上,并与所述第一半导体芯片电连接;所述第一扩张型半导体芯片具有设置在所述扩张部上且与所述第一半导体芯片的电极电连接的第一扩张部电极焊盘。
地址 日本大阪府