一种快恢复二极管FRD芯片

摘要

本实用新型提供了一种快恢复二极管FRD芯片，该芯片包括芯片有源区和芯片终端保护区；所述芯片终端保护区包括位于所述芯片终端保护区底部的P型掺杂区，所述P型掺杂区与阴极电极接触，且所述P型掺杂区的结深小于位于所述芯片有源区的N+型阴极区的结深。该P型掺杂区在FRD正向导通时，对FRD终端保护区内的N-基区实现电子的零注入，大大减小了FRD终端保护区内的N-基区内的载流子浓度，在FRD关断时，整个N-基区内的载流子抽取速度将会加快，即关断时间得到减小，从而降低了关断损耗。

主权项

一种快恢复二极管FRD芯片，所述FRD芯片包括芯片终端保护区，其特征在于，所述芯片终端保护区包括位于所述芯片终端保护区底部的P型掺杂区，所述P型掺杂区与阴极电极接触，且所述P型掺杂区的结深小于N+型阴极区的结深。