发明名称 |
动态调整光刻成像设备中的聚焦透镜焦深的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种动态调整光刻成像设备中的聚焦透镜焦深的方法,包括下列步骤:(a)选取晶片中的任一成像块,测量该成像块的表面距离聚焦透镜中心的距离d;(b)判断所述距离d是否满足f-|DOF|≤d≤f+|DOF|,其中f是聚焦透镜的焦距,f>0,DOF是聚焦透镜的焦深;(c)若满足,则进入步骤(d);若判断出d<f-|DOF|,则驱动所述驱动机构使晶片沿着与晶片表面垂直的方向,向远离聚焦透镜的方向移动,直到d≥f-|DOF|,进入步骤(d);若判断出d>f+|DOF|,则驱动所述驱动机构使晶片沿着与晶片表面垂直的方向,向靠近聚焦透镜的方向移动,直到d≤f+|DOF|,进入步骤(d);(d)对所述成像块进行曝光成像,返回步骤(a)。 |
申请公布号 |
CN102053505B |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN200910197949.4 |
申请日期 |
2009.10.30 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
刘艳松 |
分类号 |
G03F7/207(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I |
主分类号 |
G03F7/207(2006.01)I |
代理机构 |
北京市磐华律师事务所 11336 |
代理人 |
董巍;顾珊 |
主权项 |
一种动态调整光刻成像设备中的聚焦透镜焦深的方法,所述光刻成像设备包括聚焦透镜,用于将掩模板上的图案成像到晶片上,还包括至少三个驱动机构,用于分别独立地调整晶片与聚焦透镜中心之间的距离,所述方法包括下列步骤:(a)选取晶片中的任一成像块,测量该成像块的表面距离聚焦透镜中心的距离d;(b)判断所述距离d是否满足下式f‑|DOF|≤d≤f+|DOF| (1)其中f是聚焦透镜的焦距,f>0,DOF是聚焦透镜的焦深;(c)若在步骤(b)中判断出d满足(1)式,则进入步骤(d);否则(c1)若判断出d<f‑|DOF|,则驱动所述驱动机构使晶片沿着与晶片表面垂直的方向,向远离聚焦透镜的方向移动,直到d≥f‑|DOF|,进入步骤(d);(c2)若判断出d>f+|DOF|,则驱动所述驱动机构使晶片沿着与晶片表面垂直的方向,向靠近聚焦透镜的方向移动,直到d≤f+|DOF|,进入步骤(d);(d)对所述成像块进行曝光成像,返回步骤(a)。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |