| 发明名称 | 成形体、其制造方法、电子装置用构件以及电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明为一种成形体、其制造方法、包含该成形体的电子装置用构件、以及具备该电子装置用构件的电子装置。所述成形体为基材层、包含含羟基聚合物的底漆层以及阻气层依次层叠而成的成形体，前述阻气层由至少包含氧原子和硅原子的材料构成，其表层部中，相对于氧原子、氮原子以及硅原子的总存在量，氧原子的存在比率为60~75%、氮原子的存在比率为0~10%、硅原子的存在比率为25~35%，且该表层部的膜密度为2.4~4.0g/cm3。根据本发明，提供阻气性和透明性优异的成形体、其制造方法、包含该成形体的电子装置用构件、以及具备该电子装置用构件的电子装置。 | ||
| 申请公布号 | CN103282196A | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201180055900.0 | 申请日期 | 2011.09.16 |
| 申请人 | 琳得科株式会社 | 发明人 | 上村和惠;近藤健;铃木悠太 |
| 分类号 | B32B9/00(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I | 主分类号 | B32B9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蔡晓菡;孟慧岚 |
| 主权项 | 成形体，其为基材层、包含含羟基聚合物的底漆层以及阻气层依次层叠而成的成形体，所述阻气层由至少包含氧原子和硅原子的材料构成，其表层部中，相对于氧原子、氮原子以及硅原子的总存在量，氧原子的存在比率为60~75%、氮原子的存在比率为0~10%、硅原子的存在比率为25~35%，且该表层部的膜密度为2.4~4.0g/cm3。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||