整流二极管制造方法

摘要

本发明涉及一种整流二极管制造方法。本发明公开了一种整流二极管制造方法，改进现有技术的生产工艺，提高器件性能。本发明的整流二极管制造方法在管芯制作的扩散工序中，在进行P区杂质扩散时采用二次扩散工艺，在N-型单晶硅片上形成四层结构，即N+层、N-层、P-层和P+层，得到四层结构的管芯，提高了P区载流子有效浓度，并且改善了表面欧姆接触层的合金质量，降低了接触电阻，有效载流面积有所提高。本发明调整了工序流程，在焊接引线之前进行管芯腐蚀，有利于得到合适的晶粒形状，在焊接引线前先形成PN结台面，减少化学药剂使用量，大大的降低了二极管行业的污染。

主权项

整流二极管制造方法，包括如下步骤：a、在N－型单晶硅片一面扩散5价元素，形成N＋层；b、在所述单晶硅片另一面扩散3价元素，经过2次扩散分别形成P－层和P＋层；c、在所述N＋层和P＋层表面形成欧姆接触层；d、对上述步骤c中加工完成的硅片进行切割，得到管芯，所述管芯形状为直棱柱和直棱台的组合体，所述直棱柱底面和直棱台上底面连接，并具有相同形状和大小，其棱相互对接，所述直棱柱自上而下由N＋层和N－层构成，所述直棱台自上而下由P－层和P＋层构成；e、对所述管芯进行腐蚀，消除切割伤痕并形成管芯形状；f、对管芯进行清洗后，在N＋层和P＋层表面形成的欧姆接触层上焊接引线；g、涂覆保护层；h、塑封成型。