发明名称 一种四角树叶状Cu<sub>2</sub>O-ZnO复合纳米结构半导体材料及其制备方法
摘要 本发明公开一种四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料,包括硅片衬底及生长在所述硅片上的四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构;其中,所述Cu2O-ZnO复合纳米结构由Cu2O微米颗粒和ZnO纳米颗粒组成,所述Cu2O微米颗粒具有四角树叶状结构,所述ZnO纳米颗粒覆盖在所述Cu2O微米颗粒表面。本发明还公开了四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料的制备方法。本发明制备方法操作简单,所得到的Cu2O-ZnO异质纳米结构的光能利用率显著提高。
申请公布号 CN103274443A 申请公布日期 2013.09.04
申请号 CN201310141259.3 申请日期 2013.04.22
申请人 华东师范大学 发明人 汪阳;郁可;李守川;尹海宏;宋长青;朱自强
分类号 C01G3/02(2006.01)I;C01G9/02(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;H01L31/0336(2006.01)I 主分类号 C01G3/02(2006.01)I
代理机构 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 代理人 董红曼
主权项 一种四角树叶状Cu2O‑ZnO复合纳米结构半导体材料,其特征在于,包括硅片衬底及生长在所述硅片上的四角树叶状Cu2O‑ZnO复合纳米结构;其中,所述Cu2O‑ZnO复合纳米结构由Cu2O微米颗粒和ZnO纳米颗粒组成,所述Cu2O微米颗粒具有四角树叶状结构,所述ZnO纳米颗粒覆盖在所述Cu2O微米颗粒表面;其中,所述Cu2O微米颗粒中心位置具有凹陷,由所述凹陷处向互相垂直的四个方向生长出叶片状之结构的角,其表面具有树叶脉络层状结构。
地址 200062 上海市普陀区中山北路3663号
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