用于制造光电子器件的方法以及光电子器件

摘要

在用于制造光电子器件的方法中，提供具有第一热膨胀系数的生长衬底（10）。将多层缓冲层序列（11）施加到生长衬底上。接着，外延沉积层序列（2），其具有不同于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数。此外，该层序列还包括用于发射电磁辐射的有源层。接着，在外延沉积的层序列（2）上施加支承衬底（15）。去除生长衬底（10）并且将多层缓冲层序列（11）结构化，用于提高电磁辐射的耦合输出。最后，接触外延沉积的层序列（2）。

主权项

一种用于制造光电子器件的方法，包括：‑提供基于硅的生长衬底（10），该生长衬底具有第一热膨胀系数；‑施加含氮化物的多层缓冲层序列（11）；‑外延沉积层序列（2），其具有不同于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数，并且还包括掺杂的第一部分层（12），与第一部分层不同地掺杂的第二部分层（14）以及适于发射电磁辐射的有源层；‑借助在层序列的背离该多层缓冲层的侧上的开口构建至少一个孔（50），其中在孔的侧壁上构建绝缘层（52），用导电材料（45）填充所述孔，使得在所述孔的至少一个底部区域中形成与第一部分层的电接触；‑在外延沉积的层序列中构建接触部；‑将支承衬底（15）施加在接触的外延沉积的层序列（2）上，其中第二部分层布置在第一部分层和支承衬底之间，并且第二部分层与第一接触层（60）电连接；‑在支承衬底中构建第一凹处（62’）和第二凹处（65’），其中所述凹处用第一导电材料填充，使得在第一凹处中建立至第一接触层的接触，并且在第二凹处中建立至开口中的导电材料的接触；‑去除生长衬底（10）；以及‑接触外延沉积的层序列（2）。