发明名称 芳烃树脂、光刻法用底层膜形成组合物以及形成多层抗蚀图案的方法
摘要 目的是提供一种高碳浓度和低氧浓度的芳烃树脂,其可用作半导体用涂层剂或者抗蚀剂用树脂;提供一种用于形成光刻的底层膜的组合物,所述底层膜作为多层抗蚀工艺的底层膜具有优异的耐蚀刻性,提供一种由所述组合物形成的底层膜,以及提供一种使用所述底层膜形成图案的方法。本发明的特征在于在酸性催化剂的存在下,芳烃、芳族醛和酚衍生物反应从而得到芳烃树脂,所述芳烃树脂具有90-99.9质量%的高碳浓度和在丙二醇单甲醚乙酸酯中10质量%以上的溶解度。
申请公布号 CN103282396A 申请公布日期 2013.09.04
申请号 CN201180063557.4 申请日期 2011.12.14
申请人 三菱瓦斯化学株式会社 发明人 东原豪;内山直哉;越后雅敏
分类号 C08G14/04(2006.01)I;G03F7/11(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I 主分类号 C08G14/04(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 1.一种芳烃树脂,其由式(1)表示的芳烃、式(2)表示的醛和式(3)表示的酚衍生物在酸性催化剂的存在下反应得到:<img file="FDA00003432118400011.GIF" wi="832" he="575" />其中在式(1)中,R表示氢或具有1至4个碳原子的烷基,l和m各自表示1到3的数,A表示0到2的数,由R所表示的多个基团彼此相同或不同;<img file="FDA00003432118400012.GIF" wi="1018" he="580" />在式(2)中,X表示氢、具有1至10个碳原子的烷基、具有6至10个碳原子的芳基、环己基、羟基、甲酰基或羰基,p和q各自表示1到3的数,B表示0到2的数,由X所表示的多个基团彼此相同或不同;以及<img file="FDA00003432118400013.GIF" wi="899" he="454" />在式(3)中,Y和Z表示氢、具有1至10个碳原子的烷基、具有6至10个碳原子的芳基或环己基,r和s各自表示1到10的数,C表示0到2的数,由Y和Z所表示的多个基团彼此相同或不同。
地址 日本东京都