发明名称 |
制备TEM样品的半导体结构和方法 |
摘要 |
本发明涉及一种制备TEM样品的半导体结构和方法,其中,所述半导体结构包括一衬底,且该衬底上设置有一测试层,所述测试层包括一测试结构,所述半导体结构还包括复制层,所述复制层包括一复制结构;所述复制结构位于所述测试结构的正上方,且该复制结构的上表面图案与该测试结构的上表面图案相同。所述方法为采用上述的半导体结构制备TEM样品,研磨所述半导体结构至所述复制层的上表面;根据所述复制层上表面的图案结构,制备所述测试结构的TEM样品。通过本发明能够提高TEM制样的效率和效果。 |
申请公布号 |
CN103280440A |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201310165225.8 |
申请日期 |
2013.05.07 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
陈强;孙凤勤 |
分类号 |
H01L23/544(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/544(2006.01)I |
代理机构 |
上海申新律师事务所 31272 |
代理人 |
竺路玲 |
主权项 |
一种半导体结构,应用于TEM制样工艺中,所述半导体结构包括一衬底,且该衬底上设置有一测试层,所述测试层包括一测试结构,其特征在于,所述半导体结构还包括复制层,所述复制层包括一复制结构;所述复制结构位于所述测试结构的正上方,且该复制结构的上表面图案与该测试结构的上表面图案相同。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |