| 发明名称 | 半导体结晶的制造方法、结晶制造装置以及第13族氮化物半导体结晶 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结晶的制造方法。在反应容器中，在超临界和/或亚临界状态的溶剂存在下进行结晶生长来制造半导体结晶时，将该反应容器表面以及在该反应容器内部使用的构件的表面的至少一部分用铂族-第13族金属合金被膜覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN103282554A | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201180062724.3 | 申请日期 | 2011.12.26 |
| 申请人 | 三菱化学株式会社 | 发明人 | 藤泽英夫;三川丰 |
| 分类号 | C30B7/10(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 主分类号 | C30B7/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 苗堃;金世煜 |
| 主权项 | 一种半导体结晶的制造方法，其特征在于，具有如下工序：结晶生长工序，在反应容器中，在超临界和/或亚临界状态的溶剂存在下进行结晶生长；以及被膜形成工序，将该反应容器表面以及在该反应容器内部使用的构件的表面的至少一部分用铂族‑第13族金属合金覆盖来形成铂族‑第13族金属合金被膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||