| 发明名称 | 一种用于提高发光器件效率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于提高发光器件效率的方法，主要解决了现有方法对发光材料和器件效率提升效果欠佳的问题；该用于提高发光器件效率的方法包括：1、在基础材料进行量子阱生长之前对其表面进行化学腐蚀处理，使基础材料表面形成粗糙的微观结构；2、对基础材料表面形成的粗糙的微观结构进行清洗处理；3、对经步骤2处理完成后的基础材料进行量子阱和后续结构的外延生长。本发明提供的方法通过降低进入量子阱结构的位错密度和增加发光面积来增加电子空穴复合效率，进而提高发光材料和器件效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103280406A | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201310178490.X | 申请日期 | 2013.05.14 |
| 申请人 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司;西安神光安瑞光电科技有限公司 | 发明人 | 李淼 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人 | 杨引雪 |
| 主权项 | 一种用于提高发光器件效率的方法，其特征在于，包括以下步骤：1]在基础材料进行量子阱生长之前对其表面进行化学腐蚀处理，使基础材料表面形成粗糙的微观结构；2]对表面形成粗糙微观结构的基础材料进行清洗处理；3]对经步骤2处理完成后的基础材料进行相关的量子阱和后续结构外延生长。 | ||
| 地址 | 710100 陕西省西安市航天基地东长安街888号 | ||