等效电路模型，程序以及存储介质

摘要

本发明提供一种静电电容根据从外部施加给电容器的任意的DC偏置电压、来发生变化的等效电路模型、程序以及存储介质。包括：电容器等效电路部(S1)、基准电流生成部(S2)、倍率生成部(S3)、以及电流源电流生成部(S4)。电容器等效电路部(S1)包括基本电路(11)和多级电路(12)，而基本电路(11)的电容元件被替换成电流源(A1)。基准电流生成部(S2)计算出基准电流(I1)，倍率生成部(S3)计算出倍率(I2)。倍率生成部(S3)在施加有DC偏置电压时，生成对应于DC偏置电压的n次多项式的电压，将对电阻施加该电压时生成的电流设为倍率(I2)。电流源电流生成部(S4)基于基准电流(I1)和倍率(I2)来生成电流源的电流(I)。

主权项

一种等效电路模型，其特征在于，包括：电容器等效电路部，该电容器等效电路部具有RC电路或RCL电路中的某一个来作为基本电路、以及将RC电路、RL电路或RCL电路中的某个电路与所述基本电路进行多级连接而构成的多级电路，且所述基本电路的电容元件被替换成电流源；基准电流生成部，该基准电流生成部基于下式(1)、计算出将施加给所述电容器等效电路部的交流电压施加给单位容量的电容器时、生成的基准电流，I1=Cref×(d/dt)×V1        …(1)式中，I1：基准电流，Cref：单位容量的理想电容器，d/dt：微分运算子，V1：施加给所述电容器等效电路部的交流电压；倍率生成部，该倍率生成部基于下式(2)、计算出以施加给所述电容器等效电路部的DC偏置电压为变量的倍率，I2=(a0+a1×V2+a2×V22+a3×V23+…+an×V2n)                …(2)式中，I2：倍率，V2：施加给所述电容器等效电路部的DC偏置电压，a0+a1×V2+a2×V22+a3×V23+…+an×V2n：根据实测的静电电容和DC偏置电压之间的关系导出的V2的n次多项式；以及电流源电流生成部；该电流源电流生成部基于下式(3)、计算出由所述电流源生成的电流，I=I2×I1            …(3)式中，I：由电流源生成的电流