阵列基板及其制造方法

摘要

本发明涉及一种阵列基板及其制造方法。该方法包括：在衬底基板上依次形成第一导电图案、第一绝缘层、第二导电图案和第二绝缘层；采用双色调掩膜板对第二绝缘层和第一绝缘层进行构图工艺，在第二绝缘层中至少形成半搭接过孔的图案，在第一绝缘层和第二绝缘层中至少形成全搭接过孔的图案，第二导电图案对应部分半搭接过孔的位置，第一导电图案对应全部全搭接过孔的位置；形成第三导电图案和第四导电图案，第三导电图案通过半搭接过孔形成在第二导电图案和第一绝缘层的表面上，第四导电图案通过全搭接过孔形成在第一导电图案的表面上。本发明基于半曝光构图工艺使半搭接过孔和全搭接过孔在两次刻蚀后形成，避免形成空洞。

主权项

一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在衬底基板上至少形成第一导电图案；在形成上述图案的衬底基板上沉积绝缘材料作为第一绝缘层；在形成上述图案的衬底基板上至少形成第二导电图案；在形成上述图案的衬底基板上沉积绝缘材料作为第二绝缘层；采用双色调掩膜板对所述第二绝缘层和第一绝缘层进行构图工艺，半搭接过孔和全搭接过孔在两次刻蚀后形成，其中，在所述第二绝缘层中至少形成半搭接过孔的图案，在所述第一绝缘层和第二绝缘层中至少形成全搭接过孔的图案，所述第二导电图案对应部分所述半搭接过孔的位置，所述第一导电图案对应全部所述全搭接过孔的位置；在形成上述图案的衬底基板上至少形成第三导电图案和第四导电图案，所述第三导电图案通过所述半搭接过孔形成在所述第二导电图案和第一绝缘层的表面上，所述第四导电图案通过所述全搭接过孔形成在所述第一导电图案的表面上。