制造薄膜晶体管阵列基板的方法

摘要

制造薄膜晶体管阵列基板的方法，本发明公开了一种具有减少的掩模工艺次数的制造TFT阵列基板的方法。该方法包括如下步骤：在基板上依次沉积第一导电材料、栅绝缘层、半导体层和第二导电材料，并在第二导电材料上形成具有三个高度水平的第一抗蚀剂图案。该方法还包括使用第一抗蚀剂图案通过多道蚀刻工艺来形成选通线、与选通线交叉并具有第一狭缝单元和第二狭缝单元的数据线、与数据线连接并具有第三狭缝单元的源极以及与源极相对地设置并具有第四狭缝单元的漏极，在源极和漏极之间设置有沟道。

主权项

一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法，该方法包括如下步骤：在基板上依次沉积第一导电材料、栅绝缘层、半导体层和第二导电材料；在所述第二导电材料上形成具有三个高度水平的第一抗蚀剂图案；使用所述第一抗蚀剂图案通过多道蚀刻工艺来形成选通线、与所述选通线交叉并具有第一狭缝单元和第二狭缝单元的数据线、与所述数据线连接并具有第三狭缝单元的源极、以及与所述源极相对地设置并具有第四狭缝单元的漏极，在所述源极和漏极之间设置有沟道；在所述基板的、包括所述第一抗蚀剂图案被去除的部分的整个表面上沉积钝化层，并随后在所述钝化层上形成第二抗蚀剂图案；通过蚀刻工艺去除像素区中的所述第二抗蚀剂图案和所述钝化层；在所述基板的包括所述像素区的整个表面上沉积第三导电材料；通过剥离工艺去除沉积在剩余的钝化层上的所述第二抗蚀剂图案和所述第三导电材料；以及在所述像素区中形成与所述漏极连接的像素电极。