用于室温的氨敏传感器元件的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于室温的氨敏传感器元件的制备方法，采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅，再将其置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室，采用金属铂作为靶材，以氩气作为工作气体，在多孔硅表面沉积铂电极，制成氨敏传感器元件。本发明的多孔硅氨敏传感器元件具有高灵敏度、高选择性、快速响应/恢复特性，且重复性强、稳定性好，对于本技术领域具有重要的实践和研究价值。

主权项

一种用于室温的氨敏传感器元件的制备方法，具有如下步骤：(1)清洗硅基片衬底：将电阻率为0.01～0.02Ω·cm的n型单晶硅基片单面抛光，其厚度为400～500μm，依次放入丙酮溶剂、无水乙醇、去离子水中分别超声清洗20分钟，除去表面油污及有机物杂质；随后放入质量分数为5%的氢氟酸水溶液中浸泡15分钟，除去表面的氧化层；再用去离子水冲洗净备用；(2)制备硅基多孔硅：采用双槽电化学腐蚀法在清洗过的硅抛光表面制备多孔硅，所用电解液由氢氟酸和去离子水组成，其体积比为1：5，施加的腐蚀电流密度为95～135mA/cm2，腐蚀时间为20～25min；(3)制备多孔硅氨敏传感器元件：将步骤(2)中制得的多孔硅置于超高真空对靶磁控溅射设备的真空室。采用金属铂作为靶材，以氩气作为工作气体，气体流量为20～25sccm，溅射工作压强为2～3Pa，溅射功率80～100W，溅射时间8～15min，在多孔硅表面沉积铂电极，制成氨敏传感器元件。