一种双加热气相外延生长系统

摘要

本发明公开了一种双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)，包括：水平或竖直放置的外延生长室；双加热装置，其包括外加热器和内加热器；样品台，其上放置样品；金属源反应物放置器，其内部放置有金属源；喷淋器，其位于所述样品台正上方，其与所述外延生长室外部的第二进气孔相连；所述喷淋器用于将从第二进气孔输入的反应气体和从金属源反应物放置器进入的金属化合物喷洒在所述样品表面，以进行材料生长。本发明通过双加热装置提高HVPE反应系统的生长温度，在石英反应腔内得到1500以上的高温区，从而可以实现AlN等材料的外延生长。且本发明提出的双加热氢化物气相外延生长系统(HVPE)能够降低能耗，提高控温精度。

主权项

一种双加热氢化物气相外延生长系统，其包括：水平或竖直放置的外延生长室；双加热装置，其包括外加热器和内加热器，所述外加热器用于从外部对所述外延生长室的反应腔室进行加热，所述内加热器位于所述外延生长室内部，用于直接加热样品；样品台，其上放置样品，且其位于所述内加热器上；金属源反应物放置器，其内部放置有金属源，其一端与所述外延生长室外部的第一进气孔相连通，另一端与喷淋器相连；所述金属源与从所述第一进气孔进入的氢化物气体发生反应而生成金属化合物，所生成的金属化合物被输出至所述喷淋器；喷淋器，其位于所述样品台正上方，其与所述外延生长室外部的第二进气孔相连；所述喷淋器用于将从第二进气孔输入的反应气体和从金属源反应物放置器进入的金属化合物喷洒在所述样品表面，以进行材料生长。