平面型功率MOS器件

摘要

本发明公开了一种平面型功率MOS器件，包括位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层，所述P型阱层与N型轻掺杂层在水平方向相邻从而构成一PN结，一源极区位于所述P型阱层，一漏极区位于所述衬底层内，位于所述源极区和N型轻掺杂层之间区域的P型阱层上方设有栅氧层，此栅氧层上方设有一栅极区；其特征在于：所述源极区与N型轻掺杂层之间且位于P型阱层上部开有至少两个凹槽，靠近源极区的凹槽刻蚀深度小于靠近所述N型轻掺杂层的凹槽刻蚀深度，且若干个所述凹槽的刻蚀深度由源极区至N型轻掺杂层方向依次增加。通过上述方式，本发明能够提高耐击穿电压降低了器件比导通电阻，改善响应时间和频率特性，优化整体性能，减小体积。

主权项

一种平面型功率MOS器件，包括位于P型的衬底层内的P型阱层和N型轻掺杂层，所述P型阱层与N型轻掺杂层在水平方向相邻从而构成一PN结，一源极区位于所述P型阱层，一漏极区位于所述衬底层内，位于所述源极区和N型轻掺杂层之间区域的P型阱层上方设有栅氧层，此栅氧层上方设有一栅极区；其特征在于：所述源极区与N型轻掺杂层之间且位于P型阱层上部开有至少两个凹槽，靠近源极区的凹槽刻蚀深度小于靠近所述N型轻掺杂层的凹槽刻蚀深度，且若干个所述凹槽的刻蚀深度由源极区至N型轻掺杂层方向依次增加；所述凹槽的侧墙区和顶墙区的掺杂浓度相等，且为凹槽的底部区杂浓度的82~90%之间。