发明名称 |
封装衬底中具有集成无源器件的集成数字和射频片上系统器件及其制造方法 |
摘要 |
在包括数字处理器和RF集成电路器件的混合片上系统(SoC)(DP-RFIC器件)和用于混合器件的封装衬底之间划分前端模块射频(RF)器件的功能。组装方法包括形成与封装衬底一体的电感器和变压器以及接近电感器和变压器安装DP-RFIC器件。 |
申请公布号 |
CN103283023A |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201080070816.1 |
申请日期 |
2010.12.20 |
申请人 |
英特尔公司 |
发明人 |
T·卡姆嘎因;V·拉奥 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L25/18(2006.01)I;H04B1/44(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;夏青 |
主权项 |
一种芯片设备,包括:片上系统(SoC)电子器件,包括:其半导体数字处理器部分;其半导体射频集成电路(RFIC)部分,并且其中所述半导体数字处理器部分和所述半导体RFIC部分形成DP‑RFIC器件;以及耦合到所述RFIC部分的前端模块无源器件;以及封装衬底,所述DP‑RFIC器件安装在所述封装衬底上,其中所述前端模块无源器件的至少一个电感器通过所述封装衬底耦合到所述RFIC部分。 |
地址 |
美国加利福尼亚 |