发明名称 |
氮化硅发热体及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种氮化硅发热体及其制作方法,该氮化硅发热体包括发热源及发热本体,该发热源为钨丝,所述发热本体的组份及含量如下,按重量份计:氮化硅88~92份,三氧化二铝6.5~8.5份,三氧化二钇1.5~3.5份。本发明提供的氮化硅发热体及其制作方法,其制作流程简单、操作过程易控;利用该方法制作的氮化硅发热体,其成品的合格率较高,具有较高的导热性能,热效率较高,该氮化硅同时还具有较高的热震性能。 |
申请公布号 |
CN101754497B |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201010044457.4 |
申请日期 |
2010.01.20 |
申请人 |
贺连英 |
发明人 |
邓湘凌 |
分类号 |
H05B3/14(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I |
主分类号 |
H05B3/14(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市德力知识产权代理事务所 44265 |
代理人 |
林才桂 |
主权项 |
一种氮化硅发热体的制作方法,其特征在于,包括:步骤1、原料配制:提供制作发热本体的原料并配制成浆料;所述发热本体的原料组份及含量如下,按重量份计:氮化硅88~92份,三氧化二铝6.5~8.5份,三氧化二钇1.5~3.5份,石蜡1.1~1.7份,微晶蜡1.1~1.7份,硬脂蜡0.1~0.3份,塑胶6.5~7.5份;步骤2、素胚成型:用注射成型机将已配制好的浆料注射成型,制得素胚;步骤3、布置发热源:在一素胚的相应位置处布置发热源,然后将另一素胚对齐扣在该素胚上面,形成素胚组合;步骤4、真空封装:采用塑料膜对上述素胚组合进行真空封装;步骤5、热等静压:将塑料膜封装后的素胚组合放到等静压机内75~85℃的热压油里,并加上95~105个大气压,塑胶微熔粘结;步骤6、预烧结:先加热到560~600℃,真空度小于或等于20Pa,进行真空排胶;然后充氮气,加热到1400℃~1440℃;步骤7、气压炉烧结:充氮气,在4~5个大气压力下,加热到1790~1830℃;步骤8,冷却制得氮化硅发热体。 |
地址 |
518000 广东省深圳市福田区京华路107栋 |