P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺

摘要

本发明涉及一种P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺，属于半导体硅器件与集成电路制造技术领域，主要特点是在双极集成电路的同一硅片上设置通过铝引线与双极集成电路相应电连接的P沟道JFET集成电路，双极集成电路中的双极NPN管与P沟道JFET之间设置上隔离区、下隔离区彼此隔离，采用P-阱深扩散技术、低硼注入与以氧化层掩蔽高能离子浅注入顶栅共同形成的浅沟道制作技术以及适当的工艺调控制成了所需求的兼容混合集成的p沟道JFET，本发明实现了既具有双极集成电路的速度高、驱动能力强的优点，同时又具有高增益、低功耗、高阻抗、高电压输出的电路性能。

主权项

一种P沟道JFET与双极混合集成电路工艺，包括同一硅片上设置的双极集成电路和相应电连接的P沟道JFET，其特征是，所述的P沟道JFET的沟道（19）为P沟道JFET管的源电极（25）和漏电极（28）之间的P型浅注入扩散区，在所述P型沟道（19）的两端叠加有与双极NPN晶体管基区工艺各工步同步制作形成的叠加扩散区（21）以及叠加的P阱扩散区（22），在P型沟道（19）之顶部的栅区是N型杂质浅注入扩散区（20）；在上隔离工序与注入工序之间依次实施包括P阱光刻、P阱刻蚀、P阱氧化、P阱退火的P阱扩散工序；在P阱扩散工序之后实施双极NPN管的基区扩散工序；在基区去胶与基区退火之间依次实施包括低硼光刻、低硼注入、低硼去胶的浅沟道工序；在发射极扩散的电容氧化与接触孔光刻之间依次实施顶栅注入、顶栅退火的浅结扩散工序。