发明名称 |
一种宽波段高透过率OGS用玻璃 |
摘要 |
本实用新型公开了一种宽波段高透过率OGS用玻璃,该OGS用玻璃为单片玻璃结构,该结构分为三种,制造出的OGS用玻璃为单片玻璃结构,同时起到保护玻璃和触摸传感器的双重作用,其在设计与制造成本上与现有技术相比,同样能够达到采用消影膜层达到的消影效果,使其消影效果更加容易控制;而且在能够达到消影效果的前提下拓宽了产品的电阻范围,使OGS产品有了更宽的选择,提高了产品的电学性能和光学性能,在强光下改善了产品的显示效果。 |
申请公布号 |
CN203172102U |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201320168986.4 |
申请日期 |
2013.04.02 |
申请人 |
深圳市正星光电技术有限公司 |
发明人 |
李俊华;姜宁;李亮亮 |
分类号 |
B32B17/06(2006.01)I;C03C17/34(2006.01)I |
主分类号 |
B32B17/06(2006.01)I |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
一种宽波段高透过率OGS用玻璃,其特征在于:该OGS用玻璃为单片玻璃结构;包括基板(1)及依次镀于基板(1)上表面的绝缘边框(2)、五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5)、五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5)、ITO导电膜(3),以及镀于下表面的五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5)、五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5);或依次镀于基板(1)上表面的五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5)、五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5)、绝缘边框(2)、ITO导电膜(3),以及镀于下表面的五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5)、五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5);或依次镀于基板(1)上表面的五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5)、五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5)、ITO导电膜(3)、绝缘边框(2),以及镀于下表面的五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5)、五氧化二铌膜(4)、二氧化硅膜(5)。 |
地址 |
518000 广东省深圳市宝安区福永街道大洋路南侧2栋一、二楼 |