一种高洁净度单晶硅研磨片的清洗方法

摘要

本发明公开了一种高洁净度单晶硅研磨片的清洗方法，先对硅片进行初步清洗，然后采用低浓度的无机碱溶液对硅片表面进行微量去厚清洗，将硅片表层碎晶层进行反应去除2～5微米，并使表面镶嵌物剥离，这样既保证了硅片表面的洁净度，又保留了硅片外吸杂功能，达到洁净清洗的目的。

主权项

一种高洁净度单晶硅研磨片的清洗方法，其特征在于包括如下步骤：（1）将研磨好的硅片插入片架；（2）将片架及硅片放入盛装有工业有机清洗剂的1#药液槽浸泡；（3）将片架及硅片转移到1#超声溢流槽清洗，清洗时间5～15min：超声强度30～100KHZ；（4）将片架及硅片转移到2#超声溢流槽清洗，清洗时间5～15min，超声强度30～100KHZ；（5）将片架及硅片转移到盛装有无机碱和添加剂溶液的2#药液槽，无机碱浓度为2～10%，硅片厚度去除为2～5μm；（6）将片架及硅片转移到3#超声溢流槽清洗，清洗时间5～15min，超声强度30～100KHZ；（7）将片架及硅片转移到4#超声溢流槽清洗，清洗时间5～15min，超声强度30～100KHZ；（8）将片架及硅片转移到5#超声溢流槽清洗，清洗时间5～15min，超声强度30～100KHZ；（9）将片架及硅片进行旋转甩干，并放入包装盒；（10）将硅片进行检验并并包装。