| 主权项 |
1.薄膜半导体，其包含式I化合物的富对映体混合物：<img file="FDA00003427711600011.GIF" wi="708" he="908" />其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>相同或基本相同且选自支化C<sub>4-40</sub>烷基、支化C<sub>4-40</sub>烯基和支化C<sub>4-40</sub>卤代烷基；支化C<sub>4-40</sub>烷基、支化C<sub>4-40</sub>烯基或支化C<sub>4-40</sub>卤代烷基具有选自如下的通式：<img file="FDA00003427711600012.GIF" wi="845" he="263" />其中R'为C<sub>1-20</sub>烷基或C<sub>1-20</sub>卤代烷基；R"不同于R'且选自C<sub>1-20</sub>烷基、C<sub>2-20</sub>烯基和C<sub>1-20</sub>卤代烷基；且星号(*)表示立体中心使得R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>具有R-或S-结构；且其中富对映体混合物中式I化合物的(R,R)-立体异构体:(S,S)-立体异构体比或(S,S)-立体异构体:(R,R)-立体异构体比为约0.8:0.2至约0.98:0.02。 |
