| 发明名称 | 具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种闪存装置及形成所述闪存装置的方法，本发明尤其涉及一种具有氮化硅电荷陷阱层的非挥发性内存。在一个版本中，所述闪存装置包括掺杂氮化硅层，所述掺杂氮化硅层具有包含碳、硼或氧的掺杂剂。所述掺杂氮化硅层在所述层中产生较高数目且较高浓度的氮及硅悬键且提供非挥发性内存装置的单位单元的电荷固持能力及电荷保持时间的增加。 | ||
| 申请公布号 | CN103280446A | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201310136257.5 | 申请日期 | 2009.10.21 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | M·巴尔塞努;V·佐泊考伏;夏立群;A·诺利;R·阿尔加瓦尼;D·R·威蒂;A·奥-巴亚缇 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆勍 |
| 主权项 | 一种形成闪存装置的方法，所述方法包含：(a)在基板上形成二氧化硅(silicon dioxide)层；(b)在所述二氧化硅层上形成氮化硅层；(c)在(b)期间，将所述氮化硅层暴露于具有波长约150nm至约1200nm的紫外辐射；(d)在(c)期间，将介电材料直接沉积于所述氮化硅层上；及(e)将导电栅极沉积于所述介电材料上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||