发明名称 |
一种反应腔组件 |
摘要 |
本实用新型提供一种反应腔组件,至少包括均为中空的外罩环、内罩环、嵌设于内罩环与外罩环之间的嵌体环、以及罩设于外罩环的边缘环,边缘环具有同轴的内环面和外环面,内环面和外环面之间具有沉积薄膜的第一平面和第二平面,第一平面与内环面的连接处具有第一过渡弧面,第二平面在轴向上高于第一平面与外环面连接处具有第二过渡弧面,第一平面和第二平面之间具有连接面,连接面在与第二平面的连接处具有第三过渡弧面。第一平面和/或第二平面的表面布设有增加薄膜沉积面积的多个凹孔。本实用新型减少了杂质颗粒的聚集和尖端放电现象,增大了边缘环上可沉积薄膜的面积,提高了薄膜生长率和设备使用率,减少了设备清洁维护的工作量。 |
申请公布号 |
CN203174197U |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201320158369.6 |
申请日期 |
2013.04.01 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
何*;杨小军 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
余明伟 |
主权项 |
一种反应腔组件,至少包括均为中空的外罩环、内罩环、嵌设于所述内罩环与所述外罩环之间的嵌体环、以及罩设于所述外罩环的边缘环,所述边缘环具有同轴的内环面和外环面,所述内环面和外环面之间具有沉积薄膜的第一平面和第二平面,其特征在于:所述第一平面与所述内环面的连接处具有减少颗粒聚集和尖端放电现象的第一过渡弧面;所述第二平面在轴向上高于所述第一平面并与所述外环面连接处具有减少颗粒聚集和尖端放电现象的第二过渡弧面;所述第一平面和所述第二平面之间具有连接面,所述连接面在与所述第二平面的连接处具有减少颗粒聚集和尖端放电现象的第三过渡弧面;所述第一平面和/或第二平面的表面布设有增加薄膜沉积面积的多个凹孔。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 |