| 发明名称 | 具有槽型结构与硅化物电极的MOSFET器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有具有硅化物电极的MOSFET器件由于硅化物电极向沟道区引入的应力不可控导致器件性能指标不稳定的问题，提供了一种具有槽型结构与硅化物电极的MOSFET器件及其制作方法，其技术方案可概括为：该器件与现有无槽结构而具有硅化物电极的MOSFET器件相比，还包括设置在有源区外侧的槽型结构，槽型结构的深度不低于器件源区源极方向边界到漏区漏极方向边界的长度，槽型结构的内部还设置有均匀厚度的绝缘介质层，槽型结构的宽度为绝缘介质层厚度的至少3倍。本发明的有益效果是，使应力主要向槽型结构区释放，从而减小沟道应力，适用于具有硅化物电极的MOSFET器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103280461A | 申请公布日期 | 2013.09.04 |
| 申请号 | CN201310195376.8 | 申请日期 | 2013.05.23 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 罗谦;曾庆平;刘斌;邹淅;于奇 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人 | 刘世平 |
| 主权项 | 具有槽型结构与硅化物电极的MOSFET器件，包括源极、漏极、源区（10）、漏区（11）、栅氧化层（6）、栅极（7）、源极扩展区（9）、漏极扩展区（15）、三个硅化物电极（13）、两个侧墙（8）及半导体衬底（1），其特征在于，还包括设置在有源区外侧的槽型结构（5），所述槽型结构（5）的深度不低于器件源区（10）源极方向边界到漏区（11）漏极方向边界的长度，所述槽型结构（5）的内部还设置有均匀厚度的绝缘介质层（12），所述槽型结构（5）沿源区（10）到漏区（11）方向的宽度为绝缘介质层（12）厚度的至少3倍。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||