垂直阵列纳米柱LED的制备方法

摘要

一种垂直阵列纳米柱LED的制备方法，该方法包括：步骤1：在平面结构LED外延片上生长一层Al2O3层；步骤2：在Al2O3层上制备纳米颗粒模板；步骤3：利用干法刻蚀技术将平面结构LED外延片制备成纳米柱阵列；步骤4：去掉纳米颗粒模板；步骤5：在纳米柱间隙旋涂一层电介质并完全覆盖纳米柱阵列，用于对纳米柱阵列进行平面化处理，得到样品；步骤6：利用干法刻蚀技术对样品进行反刻蚀，刻蚀深度达到LED外延片的表面；步骤7：利用湿法腐蚀掉Al2O3层；步骤8：从去掉Al2O3层的LED外延片的上面向下刻蚀，刻蚀深度小于LED外延片的厚度，在LED外延片的一侧形成台面；步骤9：利用光刻、金属蒸发、带胶剥离技术，在LED外延片的表面制备p电极，在台面上制备n电极。

主权项

一种垂直阵列纳米柱LED的制备方法，该方法包括：步骤1：在平面结构LED外延片上生长一层Al2O3层；步骤2：在Al2O3层上制备纳米颗粒模板；步骤3：利用干法刻蚀技术将平面结构LED外延片制备成纳米柱阵列；步骤4：去掉纳米颗粒模板；步骤5：在纳米柱间隙旋涂一层电介质并完全覆盖纳米柱阵列，用于对纳米柱阵列进行平面化处理，得到样品；步骤6：利用干法刻蚀技术对样品进行反刻蚀，刻蚀深度达到LED外延片的表面；步骤7：利用湿法腐蚀掉Al2O3层；步骤8：从去掉Al2O3层的LED外延片的上面向下刻蚀，刻蚀深度小于LED外延片的厚度，在LED外延片的一侧形成台面；步骤9：利用光刻、金属蒸发、带胶剥离技术，在LED外延片的表面制备p电极，在台面上制备n电极。