发明名称 |
一种具有隔离层保护的发光二极管器件 |
摘要 |
一种具有隔离层保护的发光二极管器件,它涉及半导体发光技术领域,它包含衬底(1)、密封框(2)、发光单元(3)、密封层(4)和隔离层(5),衬底(1)上表面覆盖密封框(2),发光单元(3)设置在衬底(1)上的被密封框(2)包围的暴露部分,发光单元(3)的上方覆盖有密封层(4),密封层(4)的上方设置有隔离层(5)。它通过在密封层上设置隔离层,避免了密封层和外界物体的直接接触,从而避免了产品在包装、运输、组装的过程中密封层遭受外部杂质的污染以及被外界物体擦伤或刮伤,并且在组装完成后,可以将隔离层去除,从而不会影响发光二极管器件的发光效果。 |
申请公布号 |
CN203179942U |
申请公布日期 |
2013.09.04 |
申请号 |
CN201320030962.2 |
申请日期 |
2013.01.18 |
申请人 |
深圳市斯迈得光电子有限公司 |
发明人 |
程志坚 |
分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/54(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种具有隔离层保护的发光二极管器件,其特征在于它包含衬底(1)、密封框(2)、发光单元(3)、密封层(4)和隔离层(5),衬底(1)上表面覆盖密封框(2),发光单元(3)设置在衬底(1)上的被密封框(2)包围的暴露部分,发光单元(3)的上方覆盖有密封层(4),密封层(4)的上方设置有隔离层(5)。 |
地址 |
518000 广东省深圳市宝安区石岩街道松白路中运泰科技工业厂区厂房6栋8、9楼 |