| 发明名称 |
Field-effect transistor with compositionally graded nitride layer on a silicaon substrate |
| 摘要 |
A field effect transistor including a compositionally graded group-III nitride layer on a silicon substrate.
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| 申请公布号 |
US8525230(B2) |
申请公布日期 |
2013.09.03 |
| 申请号 |
US20100901988 |
申请日期 |
2010.10.11 |
| 申请人 |
MARCHAND HUGUES;MORAN BRENDAN J.;MISHRA UMESH K.;SPECK JAMES S.;THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA |
发明人 |
MARCHAND HUGUES;MORAN BRENDAN J.;MISHRA UMESH K.;SPECK JAMES S. |
| 分类号 |
H01L29/737;C30B25/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L33/00 |
主分类号 |
H01L29/737 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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