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发明名称
发光二极体及其制造方法
摘要
在此揭露一种制造发光二极体的方法,此方法包括以下步骤。提供一基材;形成一光学层于此基材上;施加约1000℃至约1500℃之热处理,使光学层之一表面产生多数不规则孔洞;形成一第一半导体层于光学层上,其中第一半导体层材料之折射率大于光学层材料之折射率;形成一活性层于第一半导体层上;以及形成一第二半导体层于活性层上。
申请公布号
TWI407592
申请公布日期
2013.09.01
申请号
TW098139617
申请日期
2009.11.20
申请人
荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号
发明人
林文禹;黄世晟;凃博闵;吴芃逸
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
主权项
地址
新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号
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