控制非挥发性半导体记忆装置的方法

摘要

一种非挥发性半导体记忆装置具有一NAND串，其中串联连接多个记忆体单元。在对该NAND串内之一选定记忆体单元施加一选定电压而与其单元资料无关地驱动以开启未选定记忆体单元之条件下，针对该选定记忆体单元实行一读取程序。在该读取程序中，对未选定记忆体单元施加一第一读取传递电压，邻近该选定记忆体单元布置的一相邻且未选定记忆体单元除外，该相邻且未选定记忆体单元比该选定记忆体单元更晚地完成资料写入，以及对该相邻且未选定记忆体单元施加高于该第一读取传递电压之一第二读取传递电压。