化学气相沉积制程

摘要

本发明提供一种化学气相沉积制程，特别的是，以10~120的氢气稀释比、10~40mtorr的沉积过程压力，及射频功率为150~1200W，于一温度控制在25~250℃的基材上沉积成长一含有微晶矽之非晶矽薄膜，可大幅改善含有微晶矽之非晶矽薄膜的沉积速率，制作具有多能阶的高效率矽基薄膜太阳能电池。