发明名称 片状填胶材及半导体装置之制造方法
摘要 本发明之目的在于提供一种片状填胶材及利用该片状填胶材之半导体装置之制造方法,可于常温中不需施加较大的压力即可贴附于具有凸块之半导体晶圆上,且可形成无空隙(void)之填胶。;本发明为一种片状填胶材,系由基材及以可剥离之方式形成于该基材上之接着剂层所组成,且于半导体装置之制造方法中所采用的覆晶构装可加以使之片状填胶材,该半导体装置之制造方法系包含,于电路面具有凸块之半导体晶圆的电路面进行贴附的同时,使该凸块贯通接着剂层,而让凸块顶部贯入于基材内,其中,基材的存储弹性系数为1.0×106Pa至4.0×109Pa,断裂应力为1.0×105Pa至2.0×108Pa,杨氏系数为1.0×107Pa至1.1×1010Pa;接着剂层的存储弹性系数为1.0×104Pa至1.0×107Pa,断裂应力为1.0×103Pa至3.0×107Pa。
申请公布号 TWI407513 申请公布日期 2013.09.01
申请号 TW095114829 申请日期 2006.04.26
申请人 琳得科股份有限公司 日本 发明人 佐藤明德;山崎修;高桥和弘
分类号 H01L21/56;H01L23/28 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项
地址 日本