| 摘要 |
本发明提出一种系统和方法，其控制用以程式化或抹除多位元及/或多位准(multi-level)快闪记忆体单元的阵列的至少一字元线的斜波电压写入讯号的切换转变时间(switching transition time)或量变曲线(profile)。在一个实施例中，为了避免未选择(非目标)的邻近记忆体单元的扰乱问题，藉由施加斜波或以其他方式控制的量变曲线写入电压至快闪记忆体单元来完成此目的，该目的保存该邻近单元的现有状态，同时使设计保持尽可能小巧和可管理且仍维持高写入速率。本系统与方法可应用于各种记忆体技术且是可靠的，因为该斜波电压量变曲线的步进或其他此种函数转变的大小可被调整或修正至所期望之解析度的任何位准。 |
