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半导体元件之散热座的制作方法
摘要
一种半导体元件之散热座的制作方法,包含下列步骤。形成一导电层覆盖在一暂时基板之表面上。利用至少一金属凸块将至少一半导体晶片接合于导电层,其中前述之至少一金属凸块介于至少一半导体晶片与导电层之间。形成一金属基板于导电层上,其中金属基板填满前述之至少一半导体晶片与导电层之间之间隙。移除前述之暂时基板。
申请公布号
TWI407536
申请公布日期
2013.09.01
申请号
TW099143290
申请日期
2010.12.10
申请人
国立成功大学 台南市东区大学路1号
发明人
苏炎坤;陈冠群;林俊良
分类号
H01L23/373;H01L21/48
主分类号
H01L23/373
代理机构
代理人
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址
台南市东区大学路1号
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