发明名称 半导体元件之散热座的制作方法
摘要 一种半导体元件之散热座的制作方法,包含下列步骤。形成一导电层覆盖在一暂时基板之表面上。利用至少一金属凸块将至少一半导体晶片接合于导电层,其中前述之至少一金属凸块介于至少一半导体晶片与导电层之间。形成一金属基板于导电层上,其中金属基板填满前述之至少一半导体晶片与导电层之间之间隙。移除前述之暂时基板。
申请公布号 TWI407536 申请公布日期 2013.09.01
申请号 TW099143290 申请日期 2010.12.10
申请人 国立成功大学 台南市东区大学路1号 发明人 苏炎坤;陈冠群;林俊良
分类号 H01L23/373;H01L21/48 主分类号 H01L23/373
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址 台南市东区大学路1号