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发明名称
发光元件和其制法
摘要
本发明揭示种能在低驱动电压下工作,并且与知的发光元件相比具有较长使用期的发光元件,以及这种发光元件的制造方法。所揭示的发光元件在一对电极之间含有复合层;复合层中至少有一层含有选自半导体氧化物、金属氧化物的化合物以及具有较高电洞输送性能的化合物。这种发光元件能抑制含有一种选自半导体氧化物、金属氧化物的化合物以及具有较高电洞输送性能的化合物的层的结晶。藉此,可以延长发光元件的使用寿命。
申请公布号
TWI407830
申请公布日期
2013.09.01
申请号
TW096135569
申请日期
2004.09.24
申请人
半导体能源研究所股份有限公司 日本
发明人
池田寿雄;坂田淳一郎
分类号
H05B33/14
主分类号
H05B33/14
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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