发明名称 偏压一相位改变记忆体装置及其操作方法
摘要 一种相位改变记忆体装置,包含:复数胞元,其连接至位元线且包含各自的相位改变记忆体元件;以及胞元选择装置;以及一定址电路,用于选择地定址至少一位元线及连接至该处的一胞元。一读取纵行偏压电路,提供一位元线电压至该定址的位元线及胞元。该位元线电压,包含一安全电压及一参照选择装置电压的和,其中当流经该相位改变记忆体元件和该胞元选择装置的一胞元电流等于一安全电流时,该参照电压等于该选择装置上的一选择装置电压,且其中该安全电压及该安全电流,系使得可在包含一胞元电压低于该安全电压的任何偏压条件下,及包含该胞元电流低于该安全电流的任何偏压条件下,避免该相位改变记忆体元件的相位转变。
申请公布号 TWI407439 申请公布日期 2013.09.01
申请号 TW097118917 申请日期 2008.05.22
申请人 英特尔股份有限公司 美国 发明人 佛迪南度 贝德斯奇;理查 费肯索;安卓 芬帝尼
分类号 G11C13/02;G11C16/02 主分类号 G11C13/02
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 美国