具有萧特基二极体之功率半导体结构及其制造方法

摘要

一种具有萧特基二极体(schottky diode)之功率半导体结构之制造方法。在形成闸极多晶矽结构的步骤中，同时形成一第一多晶矽结构于矽基材上。随后，透过第一多晶矽结构植入掺杂物至矽基材内，以形成本体区与源极掺杂区。接下来，形成一介电层于矽基材上，并以蚀刻方式形成一开口对应于第一多晶矽结构，并使源极掺杂区与本体区下方之汲极区裸露于外。开口的深度小于本体区的最大深度。随后，于开口内填入一金属层以电性连接至源极掺杂区与汲极区。