| 摘要 |
Integrierte Schaltung mit: Verstärkungssteuereinrichtungen zur Erzeugung eines Ausgangssignals als Funktion eines Eingangssignals und eines Verstärkungssteuersignals, wobei die Verstärkungssteuereinrichtung zumindest zwei Transistoren einschließt, die symmetrisch aneinander derart angepasst sein müssen, dass die Betriebseigenschaften der Transistoren identisch sind, um Signalverzerrungen durch die Verstärkungssteuereinrichtung und durch Änderungen der Betriebstemperatur zu einem Minimum zu machen, und mit einer in der integrierten Schaltung angeordneten Einrichtung zur Erzeugung eines bipolaren Abgleichsignals zur Erzielung eines Symmetrieabgleichs zwischen den Transistoren als eine Funktion einer Fehlanpassung zwischen den Transistoren, so dass der Pegel und die Polarität als bipolaren Symmetrieabgleichsignals während der Herstellung der integrierten Schaltung derart abgeglichen werden kann, dass die Transistoren in vorhersagbarer, gleichbleibender und im Wesentlichen von Temperaturänderungen, und dem Verstärkungssteuersignal unabhängiger Weise arbeiten, dadurch gekennzeichnet, dass die Einrichtung zur Erzeugung bipolaren Symmetrieabgleichsignals Einrichtungen zur Erzeugung eines bipolaren Stromes einschließt, welche eine positive Stromeinrichtung zur Erzeugung eines positiven Stromes, eine negative Stromeinrichtung zur Erzeugung eines negativen Stromes und eine Einrichtung zur Summierung der positiven und negativen Ströme zu einem Kompensationsstroms einschließt, wobei die Einrichtung zur Erzeugung des bipolaren Stromes zumindest einen in der integrierten Schaltung angeordneten Transistor einschließt, und der bipolare Strom eine Funktion der Emitterfläche des Transistors ist, und dass die integrierte Schaltung ein mit dem zumindest einen Transistor gekoppeltes Widerstandselement einschließt ...
|
