Damascene-Gate-Elektroden mit kurzschlussgeschützten Bereichen und Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Verfahren zur Bildung einer Damascene-Gate-Elektrode (100) mit kurzschlussgeschützten Bereichen, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Bilden (S1) einer Damascene-Gate-Elektrode (100) mit: einem Gate-Dielektrikum (12) auf einem Substrat (10); einem Gate-Leiter (40) auf dem Gate-Dielektrikum (12); einer dem Gate-Leiter (40) seitlich benachbarten leitenden Auskleidung (30); einer Abstandsschicht (20) zwischen der leitenden Auskleidung (30) und dem Substrat (10); und einem ersten Dielektrikum (50) auf dem Gate-Leiter (40); Entfernen (S3) eines Teils der leitenden Auskleidung (30); und Abscheiden (S4) eines zweiten Dielektrikums (60) auf dem verbleibenden Teil der leitenden Auskleidung (30) derart, dass mindestens ein Teil des zweiten Dielektrikums (60) sowohl dem ersten Dielektrikum (50) als auch dem Gate-Leiter (40) seitlich benachbart ist.