Grabenkondensatoren und Verfahren zu deren Ausbildung

摘要

Ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements beinhaltet das Ausbilden einer Öffnung mit einer Seitenwand in einem Substrat und das Ausbilden einer ersten Epitaxialschicht in der Öffnung. Die erste Epitaxialschicht wird in einem ersten Abschnitt der Seitenwand ohne Aufwachsen in einem zweiten Abschnitt der Seitenwand ausgebildet. Eine zweite Epitaxialschicht wird in der Öffnung nach dem Ausbilden der ersten Epitaxialschicht ausgebildet. Die zweite Epitaxialschicht wird in dem zweiten Abschnitt der Seitenwand ausgebildet. Die erste Epitaxialschicht wird nach dem Ausbilden der zweiten Epitaxialschicht entfernt.