SOI-Wafer und Verfahren zu seiner Herstellung

摘要

Ein SOI-Wafer gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst ein Trägersubstrat (1) und eine auf dem Trägersubstrat (1) ausgebildete Isolationsschicht (2), wobei ein vorgegebenes Hohlraummuster (3) auf einer der Hauptoberflächen des Trägersubstrats (1) ausgebildet ist, an der die Isolationsschicht (2) vorgesehen ist. Des weiteren ist eine auf der Isolationsschicht (2) ausgebildete aktive Halbleiterschicht (5) vorgesehen, wobei das Hohlraummuster (3) geschlossen ist, wobei die aktive Halbleiterschicht (5) nicht in einem äußeren Umfangsbereich des Trägersubstrats (1) ausgebildet ist. Des weiteren ist eine Vielzahl von Überlagerungsmarkierungsmustern (4) vorgesehen, die in dem äußeren Umfangsbereich an der einen der Hauptoberflächen des Trägersubstrats (1) ausgebildet sind, um eine Position des Hohlraummusters (3) zu spezifizieren.