Schaltung zur Erkennung von strukturellen Fehlern in einem IC-Chip, Anwendungs- und Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen

摘要

Hierin werden Erkennungsschaltungen, Anwendungs- und Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen bereitgestellt. Die Struktur (25) weist mindestens eine Signalleitung (30) auf, die eine oder mehrere Metallschicht(en) (20) einer integrierten Schaltung durchquert. Mit der mindestens einen Signalleitung ist eine Schaltung (35) verbunden, die strukturiert ist, um ein Signal mit einem bekannten Signalwert (VDD) von der mindestens einen Signalleitung oder ein Signal von einem anderen Potential (GND) zu empfangen und abhängig davon, welches Signal empfangen wird, zu bestimmen, ob ein struktureller Fehler in der integrierten Schaltung vorliegt.