发明名称 Verfahren zur thermischen Behandlung eines Werkstücks
摘要 Verfahren zur thermischen Behandlung eines aus Silicium bestehenden Werkstücks,–wobei das Werkstück auf einer Halterung in einer Prozesskammer ruht und das Werkstück durch Beheizung thermisch behandelt wird, wobei die Prozesskammer zumindest teilweise aus einem für Röntgenstrahlung durchlässigen Material besteht,–wobei das Werkstück sich während der thermischen Behandlung im Strahlengang eines Röntgendiffraktometers befindet und zumindest ein Beugungsreflex beobachtet und der Wert zumindest eines für den Beugungsreflex charakteristischen Parameters ermittelt wird, dadurch gekennzeichnet, dass der ermittelte Wert des charakteristischen Parameters mit einem vorgegebenen Soll-Wert verglichen und basierend auf dem Ergebnis dieses Vergleichs zumindest ein Parameter der thermischen Behandlung so geregelt wird, dass sich der ermittelte Wert des charakteristischen Parameters im Laufe der thermischen Behandlung dem Soll-Wert annähert und auf dieses Weise durch die thermische Behandlung eine gewünschte Eigenschaft des Werkstücks erzielt wird, wobei die thermische Behandlung zumindest einen der folgenden Schritte umfasst:–Schritt S1 zur Einstellung einer gewünschten Dichte an BMD-Keimen, wobei der charakteristische Parameter die Peakhöhe h ist, wobei eine Temperatur von 600 bis 800°C eingestellt wird, falls der anfängliche Ist-Wert der Peakhöhe h den Sollwert unterschreitet und eine Temperatur von 1250 bis 1400°C eingestellt wird, falls der anfängliche Ist-Wert der Peakhöhe h den Sollwert überschreitet;–Schritt S2 zur Einstellung einer gewünschten Größe der BMDs, wobei der charakteristische Parameter die Halbwertsbreite b ist, wobei Schritt S2 bei einer Temperatur von 800 bis 1100°C durchgeführt wird;–Schritt S3 zur Einstellung einer gewünschten Form der BMDs, wobei der charakteristische Parameter die Fläche A oder die Form des Beugungsreflexes ist, wobei Schritt S3 bei einer Temperatur von 800 bis 1250°C durchgeführt wird, die um 50 bis 150°C höher ist als die Temperatur eines ggf. zuvor durchgeführten Schritts S2; wobei in jedem der durchgeführten Schritte S1 bis S3 die Temperatur fest vorgegeben wird und wobei jeder der durchgeführten Schritte S1 bis S3 beendet wird, sobald der Ist-Wert des jeweiligen charakteristischen Parameters mit dem Sollwert übereinstimmt.
申请公布号 DE102009057590(B4) 申请公布日期 2013.08.29
申请号 DE20091057590 申请日期 2009.12.09
申请人 SILTRONIC AG 发明人 KNERER, DIETER;GRILLENBERGER, HANNES;MAGERL, ANDREAS, PROF.
分类号 H01L21/26;H01L21/322 主分类号 H01L21/26
代理机构 代理人
主权项
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