| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung (100) beschrieben, bei dem auf einem Substrat (30) mindestens ein säulen- oder wandförmiges Halbleiterelement (10, 20) gebildet wird, das sich in einer Hauptrichtung (z) erstreckt, wobei in einem aktiven Bereich (40) mindestens zwei Abschnitte (11, 13, 21, 23) eines ersten Kristalltyps und zwischen diesen ein Abschnitt (12, 22) eines zweiten Kristalltyps jeweils mit vorbestimmten Höhen (h1, h2) gebildet werden, wobei die ersten und zweiten Kristalltypen unterschiedliche Gitterkonstanten aufweisen und jeder der Abschnitte des ersten Kristalltyps eine Gitter-Verspannung aufweist, die von der Gitterkonstanten im Abschnitt des zweiten Kristalltyps abhängt. Erfindungsgemäss wird mindestens eines von der Höhe (h2) des Abschnitts (12, 22) des zweiten Kristalltyps und einer Lateraldicke (D) des aktiven Bereichs (40) senkrecht zur Hauptrichtung gezielt derart gebildet, dass die Gitter-Verspannung in einem der Abschnitte (11) des ersten Kristalltyps zusätzlich von der Gitterkonstanten im anderen Abschnitt (13) des ersten Kristalltyps abhängt. Es wird auch eine Halbleitereinrichtung (100), umfassend mindestens ein säulen- oder wandförmiges Halbleiterelement (10, 20) auf einem Substrat (30), beschrieben, die insbesondere mit dem genannten Verfahren hergestellt ist.</p> |
