| 摘要 |
Verfahren zur Politur einer Halbleiterscheibe mit einer ersten und einer zweiten Seite, beinhaltend eine FAP (Fixed Abrasive Polishing) der ersten Seite der Halbleiterscheibe unter Verwendung eines Poliertuchs, welches fest gebundene Abrasive mit einer mittleren Partikelgröße von 0,1–1,0 μm umfasst, mit dieser Politur eine erste Rauigkeit der ersten Seite erzeugt wird, ein Aufbringen einer Kittschicht einer Dicke von höchstens 3 μm auf jene FAP-polierte erste Seite der Halbleiterscheibe, ein daran anschließendes Aufkitten der Halbleiterscheibe mit jener FAP-polierten, eine Kittschicht umfassenden ersten Seite auf einer Trägerplatte einer Poliermaschine sowie eine einseitige chemisch-mechanische Politur der zweiten Seite der Halbleiterscheibe, mit der eine zweite Rauigkeit der zweiten Seite erzeugt wird, die niedriger als die Rauigkeit der ersten Seite ist.
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